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APTM10DHM09TG

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP4
數量：
 1089  
說明：
 MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
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APTM10DHM09TG PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型2 N 溝道（非對稱橋）
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 69.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs350nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C139A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 9875pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝

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