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APTM120A80FT1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP1
數量：
 1287  
說明：
 MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
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APTM120A80FT1G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型2 N 溝道（半橋）
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C960 毫歐 @ 12A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C14A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 6696pF @ 25V
功率 - 最大357W
安裝類型底座安裝

以上是APTM120A80FT1G的詳細信息，包括APTM120A80FT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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