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BLF6G10LS-200R

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 SOT502B
數量：
 5022  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
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BLF6G10LS-200R PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：BLF6G10LS-200R,112
工廠包裝數量：20
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.06 Ohms
產品類型：MOSFET Power
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT502B
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：- 0.5 V to + 13 V
漏極連續電流：49 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：NXP

以上是BLF6G10LS-200R的詳細信息，包括BLF6G10LS-200R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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