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BLS6G2731-6G

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SOT975C
數量:
 8118  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
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BLS6G2731-6G PDF參數資料

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中文參數如下:

電阻汲極/源極 RDS(導通):1.26 Ohms
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 65 C
包裝形式:Bulk
封裝形式:SOT975C
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:13 V
漏極連續電流:3.5 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:NXP

以上是BLS6G2731-6G的詳細信息,包括BLS6G2731-6G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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