BSC205N10LS G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 8-PowerTDFN
數量：: 6345
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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BSC205N10LS G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSC205N10LSGATMA1 BSC205N10LSGXT SP000379616
典型關閉延遲時間：30 ns
工廠包裝數量：5000
上升時間：24 ns
功率耗散：76 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0205 Ohms
漏極連續電流：7.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

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