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BSO080P03NS3E G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-DSO-8
數量：
 9437  
說明：
 MOSFET P-KANAL
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BSO080P03NS3E G-PG-DSO-8圖片

BSO080P03NS3E G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSO080P03NS3EGXT BSO080P03NS3EGXUMA1 SP000472992
典型關閉延遲時間：64 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：47 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：- 61 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：44 S
下降時間：19 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-DSO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8 mOhms
漏極連續電流：- 14.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO080P03NS3E G的詳細信息，包括BSO080P03NS3E G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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