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BSO612CVGHUMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-DSO-8
數量：
 5391  
說明：
 MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
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BSO612CVGHUMA1-PG-DSO-8圖片

BSO612CVGHUMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：340pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 3A，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3A，2A
漏源電壓（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：N 和 P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態：停產
包裝：SIPMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BSO612CVGHUMA1的詳細信息，包括BSO612CVGHUMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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