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BSZ076N06NS3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TDSON-8
數量：
 4823  
說明：
 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
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BSZ076N06NS3 G-TDSON-8圖片

BSZ076N06NS3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420
典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：5000
上升時間：40 ns
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：37 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：39 S, 20 S
下降時間：5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7.6 mOhms
漏極連續電流：20 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ076N06NS3 G的詳細信息，包括BSZ076N06NS3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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