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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:8.6 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:3000
上升時間:13.2 ns
功率耗散:2.4 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:2.6 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :12.3 S
下降時間:1.3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):49 mOhms
漏極連續電流:- 5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD25302Q2的詳細信息,包括CSD25302Q2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!