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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:26.33 ns
上升時間:4.5 ns
功率耗散:1.71 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:8.7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降時間:8.55 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):12 mOhms
漏極連續電流:10 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是DMG4800LK3-13的詳細信息,包括DMG4800LK3-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!