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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時間:13.92 nS
上升時間:6.18 nS
功率耗散:1.12 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:9.2 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降時間:2.84 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-26-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):32 mOhms
漏極連續(xù)電流:5.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是DMG6402LDM-7的詳細信息,包括DMG6402LDM-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!