DMT10H010LSS-13

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: 8-SO
數量：: 2169
說明：: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO

一、本商品被瀏覽0次.

DMT10H010LSS-13 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3000 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：71 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9.5 毫歐 @ 13A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：11.5A（Ta），29.5A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Diodes Incorporated

以上是DMT10H010LSS-13的詳細信息，包括DMT10H010LSS-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：