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中文參數如下:
FET 型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫歐 @ 3A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:1.8nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :145pF @ 100V
功率 - 最大:-
安裝類型:表面貼裝
以上是EPC2012的詳細信息,包括EPC2012廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!