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FDB039N06

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 2601
說明：: MOSFET PT3 Low Qg 60V, 3.9Mohm

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FDB039N06 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：40 ns
功率耗散：231 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：169 S
下降時(shí)間：24 ns
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.95 m Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：174 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB039N06的詳細(xì)信息，包括FDB039N06廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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