FDB6690S_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 4050
說明：: MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET

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FDB6690S_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：23 ns
上升時間：9 ns
功率耗散：48 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：33 S
下降時間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.00155 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：42 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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