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中文參數如下:
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252 (DPAK)
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):104 mOhms at 10 V
漏極連續電流:4.2 A
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDD86113LZ的詳細信息,包括FDD86113LZ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!