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FDFMA2P859T

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 MicroFET 2x2 薄型
數(shù)量:
 8154  
說(shuō)明:
 MOSFET PT2 Pch 20V/8V & Schottky Diode
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FDFMA2P859T-MicroFET 2x2 薄型圖片

FDFMA2P859T PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:11 ns
功率耗散:1.4 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :7 S
下降時(shí)間:6 ns
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):120 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:- 3 A
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDFMA2P859T的詳細(xì)信息,包括FDFMA2P859T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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