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FDI025N06

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I2PAK(TO-262)
數量:
 486  
說明:
 MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
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FDI025N06-I2PAK(TO-262)圖片

FDI025N06 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:348 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:324 ns
功率耗散:395 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:250 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0025 Ohms
漏極連續電流:265 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDI025N06的詳細信息,包括FDI025N06廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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