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FDR856P

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT-8
數量：: 7002
說明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

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FDR856P PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：80 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：12 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：25 mOhms
漏極連續電流：5.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDR856P的詳細信息，包括FDR856P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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