FDZ299P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: BGA-9
數(shù)量：: 8280
說明：: MOSFET 20V/12V PCh MOSFET

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FDZ299P_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：23 ns
上升時間：9 ns
功率耗散：1.7 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：BGA-9
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.055 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 4.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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