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HN3C10FUTE85LF

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 US6
數量：
 6581  
說明：
 RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
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HN3C10FUTE85LF-US6圖片

HN3C10FUTE85LF PDF參數資料

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中文參數如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V
功率 - 最大值：200mW
增益：11.5dB
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：1.1dB @ 1GHz
頻率 - 躍遷：7GHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V
晶體管類型：2 NPN（雙）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是HN3C10FUTE85LF的詳細信息，包括HN3C10FUTE85LF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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