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IPB021N06N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-3
數(shù)量：
 1908  
說明：
 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
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IPB021N06N3 G-TO-263-3圖片

IPB021N06N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB021N06N3GATMA1 IPB021N06N3GXT SP000452248
典型關(guān)閉延遲時間：79 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：80 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：206 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：184 S, 92 S
下降時間：24 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB021N06N3 G的詳細信息，包括IPB021N06N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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