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IPB023N06N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263
數量：
 2062  
說明：
 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
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IPB023N06N3 G-TO-263圖片

IPB023N06N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB023N06N3GATMA1 IPB023N06N3GXT SP000453048
典型關閉延遲時間：62 ns
工廠包裝數量：1000
功率耗散：214000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.3 mOhms
漏極連續電流：140 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB023N06N3 G的詳細信息，包括IPB023N06N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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