三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPD038N04N G

IPD038N04N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 2890
說明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 90A

一、本商品被瀏覽0次.

IPD038N04N G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPD038N04NGBTMA1 IPD038N04NGXT SP000391507
典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：4.2 ns
功率耗散：94 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：5.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0038 Ohms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD038N04N G的詳細信息，包括IPD038N04N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：