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IPD068P03L3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252-3
數量：
 11065  
說明：
 MOSFET P-Channel -30V MOSFET
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IPD068P03L3 G-TO-252-3圖片

IPD068P03L3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPD068P03L3GBTMA1 IPD068P03L3GXT SP000472988
典型關閉延遲時間：84 nS
上升時間：100 nS
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：68 nC
下降時間：31 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.8 mOhms at - 10 V
漏極連續電流：- 70 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD068P03L3 G的詳細信息，包括IPD068P03L3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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