IPI50R299CP

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262-3
數量：: 9167
說明：: MOSFET CoolMOS Power Transistor

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IPI50R299CP PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPI50R299CPXK IPI50R299CPXKSA1 SP000523748
典型關閉延遲時間：80 nS
上升時間：14 nS
功率耗散：104 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23 nC
下降時間：12 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.299 Ohms at 10 V
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：550 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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