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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:12 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:33 ns
功率耗散:1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:8.8 nC
下降時間:23 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:HD-1
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.2 Ohms
漏極連續電流:1.7 A
汲極/源極擊穿電壓:50 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是IRFD010PBF的詳細信息,包括IRFD010PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!