IRFH4257DTRPBF

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 雙 PQFN（5x4）
數(shù)量：: 2484
說明：: MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-PowerVDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：25W，28W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1321pF @ 13V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.4 毫歐 @ 25A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A
漏源電壓（Vdss）：25V
FET 功能：邏輯電平門
配置：2 N-通道（雙）
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：HEXFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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