IXTQ22N60P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-3P-3，SC-65-3
數量：: 5851
說明：: MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds

一、本商品被瀏覽0次.

IXTQ22N60P PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：60 ns
工廠包裝數量：30
上升時間：20 ns
功率耗散：400 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：21 s
下降時間：23 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.35 Ohms
漏極連續電流：22 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTQ22N60P的詳細信息，包括IXTQ22N60P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：