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KST55MTF_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-23
數量:
 11080  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KST55MTF_Q PDF參數資料

中文參數如下:

包裝形式:Reel
最大功率耗散:350 mW
集電極連續電流:- 0.5 A
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min:50
增益帶寬產品fT:50 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—射極飽和電壓:- 60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:- 4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 60 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KST55MTF_Q的詳細信息,包括KST55MTF_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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