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中文參數如下:
功率耗散:61 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:12 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.3 Ohms
漏極連續電流:2.6 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NDD03N60ZT4G的詳細信息,包括NDD03N60ZT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!