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NDH8321C

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-8
數量：: 1602
說明：: MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode

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NDH8321C PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：48 ns at N Channel, 78 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
上升時間：22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
功率耗散：0.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.029 Ohms
漏極連續電流：+ 3.8 A, - 2.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDH8321C的詳細信息，包括NDH8321C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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