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中文參數如下:
包裝形式:Bulk
封裝形式:SO-1
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:165 mW
最大工作溫度:+ 125 C
漏極連續電流:90 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
漏源電壓 VDS:4 V
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :60 mS
噪聲系數:0.45 dB
增益:12.5 dB
頻率:12 GHz
技術類型:HEMT
RoHS:是
產品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:NEC
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