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NE350184C-A

廠家：
  NEC/CEL
封裝：
 Micro-X Ceramic (84 C)
數(shù)量：
 3348  
說(shuō)明：
 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
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NE350184C-A-Micro-X Ceramic (84 C)圖片

NE350184C-A PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

包裝形式：Tube
封裝形式：Micro-X Ceramic (84 C)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 150 C
漏極連續(xù)電流：70 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：40 mS
噪聲系數(shù)：0.7 dB
增益：13.5 dB
頻率：20 GHz
技術(shù)類型：HEMT
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

以上是NE350184C-A的詳細(xì)信息，包括NE350184C-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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