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NE3512S02-T1D-A

廠家：
  CEL
封裝：
 S0-2
數量：
 3438  
說明：
 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
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NE3512S02-T1D-A-S0-2圖片

NE3512S02-T1D-A PDF參數資料

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中文參數如下：

包裝形式：Tape
封裝形式：S0-2
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：70 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：55 mS
噪聲系數：0.35 dB
增益：13.5 dB
頻率：12 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

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