射頻MOSFET電源晶體管 Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant
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NE5531079A-T1-A PDF參數資料
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中文參數如下: 功率耗散:35 W 安裝風格:SMD/SMT 包裝形式:Tape 封裝形式:79A 最大工作溫度:+ 125 C 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續電流:3 A 汲極/源極擊穿電壓:30 V 輸出功率:40 dBm 增益:20.5 dB 頻率:460 MHz 晶體管極性:N-Channel 配置:Single 制造商:CEL