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NE651R479A-EVPW19

廠家：: CEL
封裝：: 79A
數(shù)量：: 846
說(shuō)明：: 射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz

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NE651R479A-EVPW19 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

P1dB：27 dBm
封裝形式：79A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：2.5 W
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續(xù)電流：1 A
閘/源擊穿電壓：- 4 V
漏源電壓 VDS：8 V
增益：12 dB
頻率：1.9 GHz
技術(shù)類型：HEMT
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE651R479A-EVPW19的詳細(xì)信息，包括NE651R479A-EVPW19廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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