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NE850R599A

廠家：
  CEL
封裝：
 Outline99
數(shù)量：
 4572  
說明：
 射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET
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NE850R599A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
P1dB：26.5 dBm
封裝形式：Outline99
安裝風(fēng)格：Screw
功率耗散：3 W
最大工作溫度：+ 130 C
漏極連續(xù)電流：430 mA
閘/源擊穿電壓：- 12 V
漏源電壓 VDS：15 V
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：150 mS
增益：9.5 dB
頻率：7.2 GHz
技術(shù)類型：MESFET
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE850R599A的詳細(xì)信息，包括NE850R599A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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