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NE856M02-AZ

廠家：
  CEL
封裝：
 SOT-89
數量：
 6894  
說明：
 射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Distort Amp
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NE856M02-AZ-SOT-89圖片

NE856M02-AZ PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：SMD/SMT
封裝形式：M02
直流集電極/Base Gain hfe Min：250
功率耗散：1.2 W
集電極連續電流：0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：12 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻雙極小信號晶體管
制造商：CEL

以上是NE856M02-AZ的詳細信息，包括NE856M02-AZ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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