
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
典型關閉延遲時間:780 ns, 906 ns, 1540 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:1418 ns, 1165 ns, 290 ns
功率耗散:1.69 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3.8 S
下降時間:1418 ns, 1165 ns, 290 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-223
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.107 Ohms
漏極連續電流:2.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓:52 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NIF9N05CLT1的詳細信息,包括NIF9N05CLT1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!