NST857BDP6T5G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-963
數量：: 8610
說明：: 兩極晶體管 - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963

一、本商品被瀏覽0次.

NST857BDP6T5G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
認證機構：
封裝封裝/外殼：SOT-963
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：350mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 2mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：15nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：700mV @ 5mA，100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：45V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 PNP（雙）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NST857BDP6T5G的詳細信息，包括NST857BDP6T5G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：