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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:28 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:90 ns
功率耗散:65 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :17.5 S
下降時間:70 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:DPAK-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.13 Ohms
漏極連續電流:- 15.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTD20P06L-1G的詳細信息,包括NTD20P06L-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!