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NTD4979N-35G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 I-PAK
數量：
 7308  
說明：
 MOSFET
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NTD4979N-35G-I-PAK圖片

NTD4979N-35G PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：2.56 W
封裝形式：IPAK
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9 mOhms
漏極連續電流：9 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4979N-35G的詳細信息，包括NTD4979N-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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