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中文參數如下:
功率耗散:52 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:23 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :6.9 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):14 mOhms
漏極連續電流:38 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
以上是NTD5865NT4G的詳細信息,包括NTD5865NT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!