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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16.4 nS, 33.3 nS
上升時(shí)間:3.8 nS, 5.3 nS
功率耗散:900 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:4.6 nC, 5.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :4.7 S, 5.1 S
下降時(shí)間:2.4 nS, 29.5 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):60 mOhms at 4.5 V, 110 mOhms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流:3.5 A, - 2.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTGD3149CT1G的詳細(xì)信息,包括NTGD3149CT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!