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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9.6 ns at N Channel, 16 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量:10000
上升時(shí)間:10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :6 S, 8 S
下降時(shí)間:10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
包裝形式:Reel
封裝形式:ChipFET-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):58 mOhms, 64 mOhms
漏極連續(xù)電流:3.9 A, - 4.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V, - 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTHD3100CT3G的詳細(xì)信息,包括NTHD3100CT3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!