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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:11.1 ns at N Channel, 13.7 ns at P Channel
工廠包裝數量:3000
上升時間:4.7 ns at N Channel, 13.2 ns at P Channel
功率耗散:0.71 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :4.2 S, 3.1 S
下降時間:4.7 ns at N Channel, 13.2 ns at P Channel
包裝形式:Reel
封裝形式:506AN
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):38 m Ohms, 75 m Ohms
漏極連續電流:3.8 A, - 3.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:21 V, - 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTLJD3119CTBG的詳細信息,包括NTLJD3119CTBG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!