NVMFS003P03P8ZT1G

廠家：: onsemi
封裝：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
數(shù)量：: 2088
說明：: PFET SO8FL -30V 3MO

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NVMFS003P03P8ZT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），168.7W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12120 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：167 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 23A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35.7A（Ta），234A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

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