PHK4NQ10T,518

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 4761
說明：: MOSFET N-CH TRENCHMOSTM TRANSISTOR

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PHK4NQ10T,518 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：2500 mW
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：SOT-96
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：70 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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