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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:51 ns
工廠包裝數量:1500
上升時間:22 ns
功率耗散:130 W
下降時間:16 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-669 (LFPAK)
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):8.2 mOhms
漏極連續電流:82 A
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:NXP
以上是PSMN8R2-80YS,115的詳細信息,包括PSMN8R2-80YS,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!